珠海造第三代半导体加速上车,英诺赛科发布两款车规级SolidGaN合封氮化镓器件
英诺赛科发布两款车规级SolidGaN合封氮化镓器件 珠海造第三代半导体加速上车
英诺赛科再推车规级氮化镓新品——两款SolidGaN合封器件通过AEC-Q100认证,剑指车载电源与AI服务器电源。珠海高新区第三代半导体版图,正从分立器件迈向高集成度系统级方案。

新品发布:两款车规级SolidGaN
近日,珠海高新区企业英诺赛科(港股代码:02577)正式发布两款车规级SolidGaN合封氮化镓器件——ISG6127ATPG-Q、ISG6129BTQ-Q。两款产品均通过AEC-Q100车规认证,面向车载OBC、车载DC-DC以及大功率工业电源市场,为电源系统实现小型化、轻量化、高效率提供硬件支撑。
两款器件分属英诺赛科合封氮化镓SolidGaN系列,针对不同功率等级分别采用TOLT-16L与QDPAK-22L封装,原理图逻辑兼容,可灵活适配中功率车载电源、AI服务器PSU等多类应用场景。
技术亮点:高集成合封方案
本次发布的两款SolidGaN器件在单封装内集成650V增强型E-Mode GaN FET、栅极钳位电路及米勒钳位(Miller Clamp),有效减少系统外围器件数量、简化驱动方案,并提升整体系统可靠性。
器件支持10V至24V宽范围栅极输入,可直接由外部控制器驱动,无需额外辅助电源;内置米勒钳位具备100V/ns的dv/dt抗扰能力,系统无需配置负压驱动;零反向恢复电荷(Qrr=0),可适配图腾柱PFC硬开关工况,并支持2MHz高频工作,助力磁性元件小型化、提升整机功率密度。
招商视角:珠海第三代半导体加速度
英诺赛科是珠海高新区第三代半导体领域的骨干企业,此次车规级GaN产品从分立器件迈向高集成度系统级方案,标志着其在新能源汽车功率半导体与AI服务器电源赛道完成关键卡位。
以英诺赛科为代表的第三代半导体企业持续落子珠海高新区,正不断补强珠海在集成电路材料、功率器件方向的产业厚度,也为新能源汽车与数据中心电源升级提供本地化供应链支撑。





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