磷化铟衬底年产能迈向20万片 鼎泰芯源新厂珠海高新区落成扩产

磷化铟衬底是光通信、光电子领域的关键材料，也是800G、1.6T等高速光模块中激光器、探测器芯片的底层依托，高端产能长期集中于海外少数厂商。

当前全球AI算力建设浪潮持续涌动，数据中心光互联需求快速增长，光模块加速向高速率、低功耗方向迭代，磷化铟衬底迎来全新的发展窗口期。

鼎泰芯源2017年3月由中科院半导体所III-V族化合物半导体技术团队创立，拥有35项核心技术专利，是广东省唯一实现磷化铟衬底规模化量产的企业，建成国内首条具有自主知识产权的磷化铟衬底生产线。

公司确立「前后道专业化分置、双基地协同扩产」核心战略：老基地聚焦核心长晶业务，新工厂按大规模量产标准，对切割、研磨、抛光、清洗等后道工序系统性重构。

新厂建成后，公司将形成年加工20万片磷化铟衬底的产能规模；随着良率持续提升，有效产能有望达到25万片/年。

在控股股东博杰股份技术团队协同下，公司单晶良率已在原有基础上提升25%以上；目前2至4英寸磷化铟衬底已稳定批量供应，6英寸研发进展顺利，客户涵盖华兴激光、全磊光电、睿创微纳、慧芯激光、三安光电等。

珠海高新区是全市半导体与集成电路产业的核心集聚区，获评广东省唯一半导体与集成电路特色产业园，重点布局氮化镓、碳化硅、磷化铟、砷化镓、锑化镓五大材料体系。

全区已建成1平方公里核心化合物半导体产业圈，拥有规上企业81家，今年1至9月实现产业规模197.11亿元、同比增长42.89%，材料齐全度与产业集聚度位居全国前列。

高新区相关负责人表示，将继续当好企业「长期合伙人」，以技术创新驱动、产业生态优化、政策精准扶持为抓手，助力更多深耕硬核赛道的企业加快发展——光芯片的国产化答卷，正从这片一平方公里的产业圈里写出。

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